【摘要】 哈尔滨工业大学徐海平教授团队在 Angewandte Chemie International Edition 发表高电压 LiCoO₂ 正极研究,提出 Zr 柱撑与原位晶格匹配 LiCoPO₄ 界面层协同调控策略,使材料在 4.65 V 下实现长期循环。科学指南针唯理计算助力 Zr 占位偏好、DOS/PDOS、ELF、界面结合能和差分电荷密度等 DFT 分析,揭示体相晶格稳定与表面界面保护机制。
做钴酸锂(LCO)的人都有个体会:电压一冲到 4.55 V 以上,材料就开始"折寿"——相变、析氧、钴溶解轮番上阵,循环几十圈容量就撑不住了。
但高端电池又必须往高电压走,容量才够用。这道"高电压 vs 长寿命"的两难题,哈尔滨工业大学徐海平教授课题组在 Angewandte Chemie International Edition 上给出了一个漂亮解法:
Zr 柱撑 + 晶格匹配界面工程,让 LiCoO₂ 在 4.65 V 下循环 1000 圈、软包电池保持 92.3% 容量。

▲ 体相–表面协同稳定策略示意(论文原图)
一、问题出在哪:高电压下的"里外夹击"
LiCoO₂ 深度脱锂时,退化是体相和表面同时发生的:
-
体相:O3→H1-3 不可逆相变,O–Co–O 层滑移,晶格氧流失;
-
表面:晶格氧释放、Co 溶解、电解液氧化分解,界面持续恶化。
单修一头没用——体相和表面得同时稳住。这就是"协同调控"的出发点。
二、两步走:柱撑稳体相,包覆稳界面
第 1 步:Li 缺陷 Zr 柱撑(管体相)
合成 Li0.9Zr0.025CoO₂(LZCO),Zr⁴⁺ 进入 Li 层,伴随 Li 空位形成稳定"柱子",作用有四个:
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增强层状晶体框架稳定性;
-
抑制深度脱锂时的 O–Co–O 层滑移;
-
延缓 O3→H1-3 相变;
-
提升晶格氧稳定性。
第 2 步:原位晶格匹配 LiCoPO₄ 界面层(管表面)
磷源表面修饰后,高温下利用表面残余 Li₂CO₃ 和 Co 氧化物原位长出橄榄石结构 LiCoPO₄ 包覆层——不是简单"涂上去",而是与基体晶格匹配地"长出来",结合更牢。它带来:
-
稳定的 P–O 共价结构;
-
良好的界面结合能力;
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较高的氧化稳定电位;
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降低高电压下电解液副反应。
两步叠加,得到最终材料 LZCO@P。
三、DFT 算了什么:两套计算撑起机理闭环
这篇工作的理论计算部分由唯理计算团队提供支持,用 DFT 回答了两个关键问题:
问题 1:Zr 柱撑为什么能稳住晶格氧?
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晶体结构稳定性计算 + Zr 占位偏好分析:确认 Zr 优先进入 Li 层;
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DOS/PDOS 电子态密度:Zr 调控后,O 2p 与 Co 3d 轨道能级间隔拉大,晶格氧氧化还原活性降低;
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ELF 电子局域函数:深度脱锂状态下,Zr 显著减少氧空穴形成倾向。
问题 2:LiCoPO₄/LZCO 界面为什么结合得牢?
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界面结构模型构建:对不同晶面匹配结构逐一比较;
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界面结合能计算:量化匹配面的稳定性差异;
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电荷密度差分析:直观展示界面成键与电荷转移。
一句话:实验看到"性能稳了",DFT 说清"为什么稳"——这正是顶刊正文的机理闭环标配。
四、性能说话:4.65 V 下的硬数据
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测试条件 |
循环数 |
容量保持率 |
|---|---|---|
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3.5–4.65 V,1 C |
1000 圈 |
80.8% |
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3.5–4.65 V,3 C |
1000 圈 |
91.2% |
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软包电池 3.0–4.6 V,1 C |
160 圈 |
92.3% |
五、给做计算的人的三点启示
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占位偏好是改性研究的常规起手式:掺杂元素进哪层、占哪个位,直接决定后续所有机理分析的根基;
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DOS + ELF 组合拳:一个看轨道能级(为什么氧变稳定),一个看电子局域化(空穴在哪形成),晶格氧稳定性问题就被讲透了;
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界面结合能 + 电荷密度差:凡是涉及包覆、异质结的工作,这两个计算就是"界面为什么牢"的标准答案。
一句话总结:Zr 柱撑稳体相、晶格匹配界面稳表面,DFT 把两头的"为什么"都算清楚了——高电压钴酸锂的寿命问题,靠"体相–表面协同 + 计算机理闭环"拿下。
本研究理论计算部分由唯理计算团队提供支持,涵盖:DFT 结构稳定性分析、Zr 占位偏好计算、DOS/PDOS 电子结构分析、ELF 电子局域函数分析、LiCoPO₄/LZCO 界面模型构建、界面结合能计算、电荷密度差分析。
论文信息:Synergistic Bulk-Surface Modulation Stabilizing LiCoO₂ at 4.65 V via Zr-Pillaring and In Situ Lattice-Matching Engineering,Angew. Chem. Int. Ed.,哈尔滨工业大学徐海平教授课题组。







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