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      动态二次离子质谱仪(D-SIMS)

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      动态二次离子质谱仪(D-SIMS)

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      仪器型号 CAMECA 6f D-SIMS
      预约次数 24次
      服务周期 平均6.5个工作日完成

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      项目简介

      相比TOF-SIMS,D-SIMS有更强的深度分析能力,分析深度能达到5-10um,且剖析过程中可以连续测试元素信息;深度分辨率和检出限比TOF高很多,分析面积100,200,300um见方居多,面积越大溅射速率越慢。

      一般没有定量的D-SIMS的数据的纵坐标是计数,是强度,不同离子的产额不同,产额高的谱峰强,并不代表含量高,简单说就是强度和含量没有什么直接关系;

      部分样品都可以定量分析(比如,常见的硅中各种掺杂 B, P,As等;各类化合物半导体及其多层结构等),取决于是否有合适的标准样品;

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      结果展示

      有标样的:

      掺杂深度剖析

      样品要求

      长宽5-10mm,厚度不超过1mm,真空保存,标记清楚测试面。

      常见问题

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