【摘要】 SiC是一种极具潜力的第三代宽带隙半导体。

SiC是一种极具潜力的第三代宽带隙半导体。由于它具有宽带隙、高硬度、高热导率等优良性能,在高温、高频、高压、高功率电子器件中有着重要应用。随着理论研究的不断深入及实验技术的不断提高,对SiC原子和电子结构的理论和实验研究也引起了人们极大的兴趣。周艳萍[1]采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,利用CSATEP程序模块,对四种碳化硅多型体进行了原子、电子结构和声子态密度等方面的第一性原理研究。对3C、2H、4H和6H碳化硅进行的能带结构、态密度计算分析结果表明它们都具有半导体性质,其中3C-SiC存在直接带隙,nH-SiC为间接带隙。

 

顾大明等[2]采用密度泛函DFF理论对LixNiO2和LixNi0.5Co0.5O2的平均放电电压和态密度进行了计算.同时,用共沉淀法制备了LixNiO2和LixNi0.5Co0.5O2锂离子二次电池正极材料,并对其进行了XRD结构分析和恒流充放电测试。实验和计算结果表明：随锂离子嵌入正极(电池放电),电池的电压逐渐降低,材料的态密度峰向低能量方向移动;与LixNiO2相比,LixNi0.5Co0.5O2的电压平台相对较高(当0.25≤x≤0.5),而且在Li^+嵌,脱时,LixNi0.5Co0.5O2的结构变化相对较小;Co离子的掺入,减小了NiO6八面体的畸变度,使材料的电化学稳定性得以提高.在钴掺杂镍酸锂体系中,NiO6和CoO6具有相互的稳定作用。通过实验与理论计算的相互印证，对Co掺杂对LixNiO2电化学性能的影响有了深刻而坚实的认知，为获得综合性能更好的锂离子二次电池正极材料打下了坚实的基础。

 

参考文献

[1] 周艳萍. SiC多型体的第一性原理计算研究[D].燕山大学,2011.

[2] 顾大明, 谢颖, 史鹏飞,等. LixNi0.5Co0.5O2的态密度计算及电化学性能研究[J]. 化学学报, 2006, 64(12):5.

 

科学指南针通过互联网技术建立更可靠的服务标准，全国26个办事处，12个城市拥有自营实验室，最好的设备、最专业的老师为您服务。

 

免责声明：部分文章整合自网络，因内容庞杂无法联系到全部作者，如有侵权，请联系删除，我们会在第一时间予以答复，万分感谢。