【摘要】 第一个阶段是上世纪70年代，由Venables 等在SEM中观察到一种高角菊池带，也就是背散射菊池带。从而发展了一种基于背散射电子衍射菊池带的取向结构分析技术。

EBSD的发展大概可分为五个阶段。第一个阶段是上世纪70年代，由Venables 等在SEM中观察到一种高角菊池带，也就是背散射菊池带。从而发展了一种基于背散射电子衍射菊池带的取向结构分析技术。第二个阶段是上世纪80-90年代，Dingley及Hjelen等人基于计算机，开发出一套可标定EBSD花样取向的设备，从而开发出一种商业化标定EBSD花样的软件。把计算机用于EBSD花样的标定中,不但提高了标定的效率和速度,也增强了标定的准确定，同样是的标定数据电子化，便于人们阅读和表达。第三个阶段是上世纪90年代初基于手动确定菊池带，人们先后发展了几种确定菊池带位置和类型的标定技术，这包括:自动计算取向、有效图像处理以及自动逐点扫描等（包括Hough变换的运用、1992年 OIMTM注册商标化、ACOM的出现）。第四个阶段是上世纪90年代后期，把EBSD技术与能谱分析技术相结合，这样能更加准确和有效的进行物相鉴定和分析。2002年，Wnght等成功的将能谱与EBSD系统集成。这极大地提高了EBSD技术物相鉴定的能力。第五个阶段是原位分析技术,既是在SEM中进行原位加力,加热和FIB原位切割从而实现3D-OIM。这种原位分析技术应用的意义在于，更接近实际情况，缩短了分析时间。

EBSD技术经过多年的发展，自动化程度非常高，不仅可以绘制取向分布图与反极图，还可以自动计算取向（差）分布函数等。正是由于EBSD技术得到了极大的发展，才极大地提高了对样品进行分析的效率，使得研究人员可在短时间内得到大量的样品晶体学信息，如:晶粒取向和微织构分析；物相鉴定和相比计算；晶粒尺寸测量和微区应变分析等。正是由于EBSD技术可广泛的用于这些研究领域，使得EBSD技术得到了很大的提高和发展。EBSD技术还具有其他材料微观分析技术所不具备的优点:(1)较高的分辨率，在Schottky场发射SEM中其分辨率可以达到20nm。(2）可同时得到晶体材料微观形貌、结构和晶粒取向分布等信息。(3）与TEM相比，对样品要求较低，可以直接用于分析块状试样。(4）可以通过调整入射电子能量来调控感知的深度。

 

[1] Venables JA,Harland CJ.Electron back-scatte ring patten A new technique for obtaining crystallographic information in the scanning electon microscope [J]. Phil. Mag ,1973,2:1193-1200

[2] Coates DG. Kikuchi-like reflection patterns observedin the scanning electron microscope[J].Phil. Mag .,1967,16: 1179-1184

[3] Dingley DJ. A comparison of diffraction techniques for the SEM [J]. Scanning Electron Microscopy, 1981,4: 273-286

[4]刘全宝. 多片层法模拟电子背散射衍射花样[D].湘潭大学,2016.

 

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