【摘要】 四川大学与东北大学团队在《Angewandte Chemie》发表研究,通过空间限制与硒裁剪策略实现S-Cu正极四电子反应高度可逆。科学指南针提供理论计算支持,助力反应机理解析与性能优化。
四川大学王倩教授、尧猛与东北大学赖勤志教授团队在《Angewandte Chemie International Edition》发表突破性研究成果,通过"空间限制"策略结合硒分子裁剪技术,成功实现S-Cu正极四电子反应的高度可逆。科学指南针为本研究提供理论计算支持,助力反应机理解析与材料设计优化。
研究背景与水系电池挑战
水系电池因安全性高、成本低,被视为大规模储能的理想选择。硫(S)阴极与Cu²⁺/Cu⁺氧化还原载体结合具有4电子转化的高理论比容量(3350 mAh g⁻¹),但S-Cu体系面临严重不可逆容量损失问题,制约其实际应用。
核心挑战分析:
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充放电过程存在严重的不可逆容量损失
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CuS中间产物氧化惰性导致活性物质持续损失
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传统两步反应路径(S→CuS→Cu₂S)效率低下
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容量衰减率高达75%,制约体系发展
创新方法:空间限制与硒裁剪策略
研究团队提出"空间限制"策略结合硒(Se)分子裁剪技术,成功绕过CuS中间产物的生成,首次实现S-Cu正极"四电子"反应的高度可逆。
技术突破要点:
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利用微孔碳基体(SC-C,孔径≈5Å)作为离子筛抑制Cu²⁺水合
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通过硒原子裁剪将S₈环剪切成短链S₂-S₄
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实现一步四电子反应(Cu₂S→S),跳过CuS生成
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理论计算显示Se掺杂使S-S键能降低,更易断裂
失效机制与元凶锁定
通过分电压区间充放电研究和原位表征技术,精准锁定容量衰减的主要元凶为CuS中间产物的氧化惰性。
机制研究发现:
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CuS→S步骤容量衰减率高达75%,CuS↔Cu₂S反应近乎100%可逆
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原位XRD和高分辨TEM捕获充电后电极中残留CuS晶体
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证实CuS氧化惰性是容量衰减主因

图1a)循环性能,和b)S/C阴极在0.5A g-1下的充放电曲线。c)在S/C阴极的前10个循环中两个放电平台的放电容量。d)S/C阴极的电位-时间曲线和原位XRD分析,暗红和浅蓝区域分别对应于高和低XRD强度。e1-e2)初始状态下S/C阴极的TEM和HRTEM结果。e3-e4)在300次循环后的完全充电状态下的S/C阴极的TEM和HRTEM结果。f-g)S/C正极在不同电压区间的充放电曲线,i)Cu2S → S不同的氧化路径分析
材料设计与结构表征
采用模板法制备SC-C微孔碳基体,通过熔融扩散法将Se-S短链精准填入微孔,实现空间限制与分子裁剪的协同效应。
结构特征验证:
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SEM和EDS Mapping显示元素均匀分布
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TEM和SAED证实Se₄S₄/SC-C的纳米结构
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XRD显示Se₄S₄/SC-C的独特衍射特征
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XPS谱显示S 2p和Se 3p的特征峰
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TOF-SIMS分析验证Se-S短链成功填充
%E4%B8%8D%E5%90%8C%E5%B0%BA%E5%AF%B8%E5%AD%94%E9%9A%99%E7%BA%A6%E6%9D%9F%E4%B8%8B.png)
图2 a)不同尺寸孔隙约束下Cu2S在充放电过程中的氧化途径示意图。b) S8和Se4S4中S─S键的解离能。c)模板法制备SC-C及填充Se-S短链的示意图。d) SEM和EDS Mapping结果;e) Se4S4/SC-C的TEM(插图为SAED结果)。f) S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的XRD。g) SC-C、S/SC-C、Se4S4/SC-C的N2吸/脱附等温线。h) Se4S4/SC-C的S 2p和Se 3p XPS谱。i) S/SC-C和Se4S4/SC-C的TOF-SIMS分析。S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的j) TG和k) DTG曲线。
反应机理与路径优化
通过多维度表征技术,清晰揭示Se₄S₄/SC-C正极的一步四电子反应机制,验证空间限制策略的有效性。
机理研究突破:
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原位XRD仅显示微弱非晶信号,无CuS特征峰
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XPS追踪证实S⁰→S²⁻、Se⁰→Se²⁻还原反应,无CuII信号
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CV和dQ/dV显示一对对称氧化还原峰,证实一步反应
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DRT分析显示扩散阻抗仅在放电末期出现,反应路径纯净

图3. a)Se4S4/SC-C正极在0.5 A g-1下的前两个放电-充电过程期间的电压-时间曲线和原位XRD分析,暗红色和浅蓝色区域分别对应于高和低XRD强度。b1-b3)不同充放电电位下S 2p/Se 3 p杂化轨道、Se4S4/SC-C的Se 3d和Cu 2p轨道的非原位XPS谱。c)循环伏安曲线,以及d)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的dQ/dV结果。e1-e3)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C在放电过程中的原位EIS谱。e4)在1.0 M CuSO4电解液中,S/SC-C在放电过程中的原位EIS谱。f-g)/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的DRT时域阻抗分析结果。
电化学性能评估
系统评估Se₄S₄/SC-C正极的电化学性能,展现出卓越的循环稳定性和容量保持率。
性能卓越表现:
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0.5 A g⁻¹下初始容量达1067 mAh g⁻¹
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700次循环后容量保持815 mAh g⁻¹,衰减率仅0.034%
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全电池放电电压达1.24 V,容量高达1700 A g⁻¹
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性能媲美有机锂电,展示产业化潜力

图4 a)在0.05 mV s-1的扫描速率下,Se4S4/SC-C在0.01-0.5 V(相对于Cu/Cu2+)之间的前四个循环的CV曲线。b)在0.5 A g-1、1 A g-1、2 A g-1、3 A g-1和5 A g-1的电流密度下,S/C、S/SCC和Se4S4/SC-C阴极的容量保持率。c)Se4S4/SC-C在0.5 A g-1、1 A g-1、2 A g-1、3 A g-1和5 A g-1电流密度下的充放电曲线。d)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C在0.5 A g-1下的长循环性能。e)双液全池示意图。f)Se4S4/SC-C ‖ Cu半电池中Se4S4/SC-C正极的电压曲线,以及以Zn作为负极的双液全电池中的电压分布。g)全电池在0.5A g-1下的循环性能,其中在前5个循环中在0.1 A g-1下活化。h)本工作与其他工程的性能比较。
研究总结与展望
本研究通过空间限制与分子裁剪策略,成功解决S-Cu体系不可逆容量损失问题,为高性能水系电池设计提供新思路。
创新价值总结:
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揭示S-Cu电池衰减本质,提供路径调控新范式
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微孔碳与硒硫化合物组合可拓展至其他硫族元素电池
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高电压、长寿命全电池设计为大规模储能提供低成本解决方案
论文信息:Angewandte Chemie International Edition
DOI:10.1002/anie.202501205
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