【摘要】 极低频值依赖于确定在r处找到类似自旋态的概率，其中i被定义为覆盖所有单电子自旋态。

电子定位函数（ELF），ƞ（r）是研究分子和晶体材料中原子之间键合相互作用的有力工具。对于大多数具有化学意义的键合体系，已经证明ELF中的主导项是

其中单电子轨道概率密度为：

因此，极低频值依赖于确定在r处找到类似自旋态的概率，其中i被定义为覆盖所有单电子自旋态。定性地说，极低频可以被认为在有显著的电子密度和有很少或没有节点平面的地方有很大的值。在电子密度低或已占据轨道有足够节点(ψ(r)的梯度相对较大)的地方，它也可以有小的值，以克服密度对极低频的贡献。Becke和Edgecombe将ELF定义为限制在0和1之间的值，其中值1表示完全局部化，值0.5表示均匀电子气概率，小于0.5的值对应于电子密度浓度之间的区域。

地球材料的ELF等值面域为石英、辉绿岩、方镁石、透辉石、透闪石、滑石、地开石、绿柱石、堇青石、水镁石、钙镁石、低钠长石、钍黄铁矿、辉铜矿，Gibbs等人[1]研究了ELF结构域如何作为桥接氧与非桥接氧的函数以及M–O–Si键的M电负性变化。Burt, J.B.等人[2]考察了Al2SiO5多晶型蓝晶石、硅线石和红柱石的电子定位函数（ELF）等值面，了解阳离子和阴离子的配位和几何结构差异如何影响ELF等值面。ELF等表面的结果表明，它们的形状取决于氧原子的配位和几何结构，并且对周围阳离子的配位不敏感。

[1] Gibbs GV, Cox DF, Ross NL, Crawford TD, Burt JB, Rosso KM (2005) A mapping of the electron localization function for earth materials. Phys Chem Min 32:208–221.

[2] Burt, J.B., Gibbs, G.V., Cox, D.F. et al. ELF isosurface maps for the Al2SiO5 polymorphs. Phys Chem Minerals 33, 138–144 (2006). https://doi.org/10.1007/s00269-006-0062-5.

 

免责声明：部分文章整合自网络，因内容庞杂无法联系到全部作者，如有侵权，请联系删除，我们会在第一时间予以答复，万分感谢。