【摘要】 不同阶参数的共存和配对对称性是一维导线研究中的主要问题。

一维纳米线具有面内量子化能级和连续能谱，因此态密度（DOS）是用于表征其电子结构的中心量。一维纳米线具有各种光电子应用的前景，因为它们将量化平面内能级（如在零维量子点中）的优势与沿生长方向的连续能谱（如在三维体材料中）相结合。这种双重特性反映在DOS中，因此DOS是描述纳米线电子结构的关键量。纳米线的DOS可以通过X射线吸收光谱、扫描隧道光谱、以及电导、和热电能等传输特性来测量。

不同阶参数的共存和配对对称性是一维导线研究中的主要问题。对于波配对对称中超导和反铁磁共存的问题，我们采用了一个紧束缚模型[1]，该模型是一致的，最有利于最近邻配对相互作用，并导出了一组间隙方程，这些方程是数值解和自洽的。研究了阶跃参数之间的相互影响。我们还计算了态密度和能带能量。态密度显示了费米能级两侧定义的干涉峰，对应于具有范霍夫奇点的阶参数。总之，我们建立了波对称一维线中SC和AFM阶共存的两轨道紧束缚模型。利用Zubarev的双时间单粒子格林函数方法计算了间隙函数，并对其进行了数值求解和自洽求解。两个阶参数的相互作用表明，在共存阶段，彼此之间存在很强的相关性。在两阶参数共存的情况下，在我们研究的所有情况下，都观察到DOS中SC和AFM间隙的干涉有两对峰值。最后，能带显示了在独立状态和共存状态下能带的移动。在DOS和能带研究中都能很好地观察到阶参数的干扰。观察到的结果显示出可以通过实验检测到的有趣的特征。

 

[1]      Pradhan B. Density of states in antiferromagnetic nanowire superconductors[J]. Physica C: Superconductivity and its Applications, 2022, 600: 1354095.

 

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