【摘要】 用X射线光电子能谱（XPS）研究了等离子体与NKN薄膜表面的化学反应。利用原子力显微镜（AFM）观察了NKN薄膜的表面形貌。

铁电材料已经在许多领域中被研究用于使用铁电材料作为存储器装置（DRAM和非易失性FRAM）、红外（IR）传感器、光波导和调制器、谐振器和滤波器、致动器和微机电系统（MEMS）的各种应用。特别地，观察到铁电材料在非易失性铁电随机存取存储器（弗拉姆）应用中的可能用途。FRAM具有许多强大的优点，例如低功耗、抗辐射性、非易失性和高访问速度。许多铁电材料已经被推荐用于弗拉姆器件，例如Pb（Zr，Ti）O3和（Sr，Ba）TiO 3，并且它们已经被广泛研究。大多数铁电材料通常具有高介电常数。从几个已发表的作品，它被发现，一个新的系统的无铅铁电材料组成的固溶体的Na0.5K0.5NbO3（NKN）的电场诱导的应变与典型的致动器级PZT。NKN薄膜具有很好的介电和压电特性。另外，NKN薄膜的高剩余极化和高居里温度使其成为FRAM中的信息载体材料。因此，有必要开发适用于使用IC技术的高密度器件的NKN薄膜。为了使NKN薄膜应用于高密度铁电器件，各向异性腐蚀工艺的发展是必不可少的。不幸的是，少数论文发表的关于NKN蚀刻行为的文章。NKN薄膜的蚀刻特性并不准确。这一事实给NKN薄膜在微电子技术中的集成带来了一些困难。在这项工作中，Young-Hee Joo等[1]研究了在电感耦合等离子体（ICP）的NKN薄膜的蚀刻性能。用X射线光电子能谱（XPS）研究了等离子体与NKN薄膜表面的化学反应。利用原子力显微镜（AFM）观察了NKN薄膜的表面形貌。

[1] Joo Y H , Woo J C , Kim C I .Etching properties of Na0.5K0.5NbO3 thin films by using inductively coupled CF4/Ar plasma[J].Microelectronic Engineering, 2014, 114(feb.):1-6.

 

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