穆斯堡尔谱-电四级裂距1

对于确定的穆斯堡尔核素，电四极裂距∆E_Q的变化和核处电场梯度V_xx有关，即:

当这两种贡献同时存在时，常以第一项为主。在某些问题中，常将第一项V_zz(价)再分解成为两种效应的总和即:

V_zz(C·F)是由于配体或晶格环境的存在所引起价电子分布不对称性所产生的贡献;V_zz(M·O)是由于穆斯堡尔原子与配体或键作用所形成的分子轨道中电子分布的不对称性所产生的贡献。当这两项同时存在时，一般以V_zz(C·F)的贡献为主，其数值与温度有关。V_zz(M·O)和V_zz(L)两项常同时存在，他们与温度无明显关系，所产生的效应也不易明显分开。

可以证明，正八面体场(例如由六个相同配体和中心离子形成的正八面体配位化合物)所形成的立方对称环境中，Fe²⁺和Fe³⁺的V_zz(C·F)均等于零。但当环境偏离正八面体分布发生畸变时，V_zz(C·F)的数值和符号都可能变化,尤其是高自旋的Fe²⁺化合物和低自旋的Fe³⁺化合物中，V_zz(C·F)的贡献常常是显著的。这种情况下通过∆E_Q及其和温度关系的测定，可以了解穆斯堡尔原子周围环境畸变的情况以及化合物中的电子组态。

对于d轨道中电子布居为全满或半满的过渡金属离子以及具有空的s，p轨道的主族元素离子所形成的配位化合物，其V_zz(C·F)= 0，其∆E_Q主要由V_zz(M·O)和V_zz(L)所决定。也就是说主要由配体的性质以及这些配体在中心原子周围分布的状况所决定。在配位化合物中，由于配体几何位置不同，可以形成顺式和反式的几何异构体。

• 梁业广. d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究[J]. 广西物理, 2002(1):3.
• 李柏延. 弯折型配体及混合配体构筑的配位聚合物的合成,结构和性质研究[D]. 吉林大学, 2010.