穆斯堡尔谱-同质异质移2

实验中普遍采用相对同质异能移。这对分析研究问题没有妨碍，因为一般关心的是同质异能移的变化，而不是绝对值本身。

对于给定的穆斯堡尔核素，核因子是固定的。如果一系列研究采用同一放射源则原子核所在处的电子电荷密度也不变。

在实际测量中，对Fe的穆斯堡尔谱常常以金属铁( α-Fe )或硝普钠( Na₂〔Fe(CN)₅NO)·2H₂O)作为参考吸收体，而对锡的穆斯堡尔谱,常用BaSnO3、SnTe或Mg₂Sn作为参考吸收体。表1和表2列出了一些常见物质相对于参考吸收体的同质异能移

表1 温度为300K时不同的⁵⁷Fe吸收体相对α-Fe的同质异能移值

表2 温度300K时不同物质中的¹¹⁹Sn骤收体相对于BaSnO₃的同质异能移

从穆斯堡尔谱上很容易求出同质异能移的数值。由图测出吸收峰的中心处速度值，同样条件下也测得标准吸收体的谱中心位置,两者之差就是相对于标准吸收体的同质异能移。

相对同质异能移主要决定于吸收体中穆斯堡尔核处的电子云密度。上述的电子云密度主要来自所有s电子的贡献。其中价电子壳层中的s电子则是可变的因素，改变价电子壳层中s 电子的分布，会直接影响电子云密度。同时，p、d、f电子对s电子的屏蔽作用也会间接影响电子云密度的值，这种影响同样很大。所以一般讲，价电子对同质异能移的影响有两种途径:①减少价电子壳层中的s电子可直接减小电子云密度；②p、d、f壳层的电子减少时，则减少了对s电子的屏蔽、也就加强了核电荷和s电子的相互作用，可以间接地使电子云密度增加。

对确定的价态和确定的自旋态，同质异能移范围的宽窄取决于共价性的强弱。一般来说，离子性更强的化合物，同质异能移更偏向正方向。因为共价性的增加引起电子云的扩散效应，将减少3d电子的屏蔽作用，使得s电子密度增加，引起同质异能移增大。电子自旋配置不同也会影响对s电子的屏蔽效应，从而引起不同的同质异能移。

因此，同质异能移主要取决于核位置处的电子电荷密度，这与穆斯堡尔原子核周围的电子配置情况有关。因此由同质异能移的测量分析可得到化学键性质价态与配位基的重要信息,在实用上很有效，是穆斯堡尔谱的重要参数。

[1]胡敏, 何延才, 顾秉林. ~(121)Sb穆斯堡尔同质异能移研究[J]. 物理学报, 1987(09):67-74.