
EBSD
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项目简介
EBSD具体分析功能:
1,微观组织分析:晶粒尺寸、均匀性、孪晶的体积分数、再结晶晶粒以及亚晶、晶界特性分析、相鉴定、相分布等;
2,取向分析:相邻晶粒的取向分析,晶粒和相邻孪晶的取向分析,孪晶以及相邻孪晶的取向分析,织构分析,取向差分析等。
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结果展示
1. 极图(Pole Figure)
极图是将晶体学方向投影到样品参考坐标系中的一种可视化方法。在极图中,晶面的法线(极点)被投影到样品的参考坐标系中,通常以轧向(RD)、横截面方向(TD)和轧面法线(ND)为参考轴。极图可以显示晶面在样品不同方向上的分布情况,从而揭示材料的织构特征。例如,在立方相材料中,常见的极图包括{100}、{110}和{111}极图
极图通常以颜色编码表示晶面的强度分布,颜色越深表示该晶面出现的频率越高。常用于分析材料的织构,如Goss织构、Copper织构、Brass织构等。
2. 反极图Inverse Pole Figure, IPF)
反极图是将样品方向投影到晶格参考坐标系中的一种方法。与极图相反,反极图显示的是样品方向在晶体坐标系中的分布情况。反极图通常用于分析晶粒的取向分布,颜色梯度表示晶粒的取向密度,红色区域表示高取向密度,蓝色区域表示低取向密度。通常以颜色编码表示晶粒的取向分布,颜色越深表示该晶粒的取向越集中,常用于分析材料的织构,如挤压态样品的织构分析。
3. 取向差角分布
4. 晶核平均取向差图(Kernel Average Misorientation,KAM)
用于表征材料局部晶格畸变的工具。KAM图通过计算每个数据点与其邻域内其他数据点之间的平均错配角来反映材料的局部应变分布。在 KAM 图中,不同的 KAM 值会用不同的颜色来表示,通常会设置一个颜色条来对应不同的取向差范围 。比如,较低的 KAM 值可能用蓝色表示,意味着该区域取向差小,晶体取向较为一致;较高的 KAM 值可能用红色表示,说明该区域取向差大,晶体取向变化较为剧烈。
5. 取向分布函数图(ODF)
通过描述材料中晶粒的取向分布,帮助实验者理解材料的织构特征和性能。
6. 相图(Phase Map)
使用不同的颜色来代表材料中的不同物相。
7. 晶界
样品要求
1,可以直接做EBSD数据采集的样品的基本要求:样品能产生计算机可以识别且能正确标定的菊池衍射花样、表面平整、清洁、无残余应力、导电性良好、尺寸合适,数据采集处理需提供样品中各相的物相以及晶体结构及原子占位信息,元素种类等,以及晶体学信息:晶体学数据库,ICCD,或者皮尔斯手册,再就是XRD标定用的PDF卡片里面。若不符合直接测试要求,需要选择合适的制样方法。
2,样品尺寸要求:形状规整,尺寸不易太大,长:<8mm,宽<8mm,厚度<3mm左右,测试面需要表面光滑,没有明显划痕。若尺寸较大,请提前线切割好,若需要我们线切割,请联系当地项目经理。
常见问题

1. OIM analysis中如何将schmidt map颜色映射到反极图中

2. 如何选择氩离子抛光(CP)平面和截面制样
氩离子抛光技术,又称CP截面抛光技术,是利用氩离子束对材料样品表面或者截面进行轰击,以获得平整精密的抛光截面和平面样品。CP制样广泛,可获得纳米级的抛光效果。对于成分、软硬度不均匀的样品有着非常平整的抛光效果,且具有加工速度快等优点。除此以外,具有被加工区域变形小、无机械损害、无结构破坏、无异物介入等特点。可用于各种材料样品(除了液态)的制备,适应大多数材料类型,对大面积、表面或辐照及能量敏感样品尤佳,有钢铁、地质、油页岩、 锂离子电池、光伏材料、陶瓷、金属(氧化物,合金)、高分子,聚合物、薄膜、半导体、EBSD样品、生物材料等。
氩离子抛光一般具备两种抛光功能,截面抛光和平面抛光,其原理示意图如下。
截面抛光
通过离子束加工突出于遮挡板边缘的样品截面,由此获得平整的截面。由于离子束平行于样品的加工面,因此,即使是加工由不同研磨速率组成的复合材料,依然可以获得平整的研磨面。
主要用途:
1.特定位置的截面研磨
2.复合材料、多层界面、纸/薄膜等样品的内部结构
3.EBSD分析前处理
平面抛光
通过离子束加工突出于遮挡板边缘的样品截面,由此获得平整的截面。由于离子束平行于样品的加工面,因此,即使是加工由不同研磨速率组成的复合材料,依然可以获得平整的研磨面。
主要用途:
1.特定位置的截面研磨
2.复合材料、多层界面、纸/薄膜等样品的内部结构
3.EBSD分析前处理

3. EBSD数据采集与处理过程是怎么样的
EBSD花样标定的hough变换
利用 hough 变换,将菊池衍射花样中的菊池线变换换为 hough 空间 (r,θ) 中的点
反映晶体取向的欧拉角计算
样品坐标系的选择
晶体坐标系:a1 a2 a3
样品坐标系:RD TD ND
晶体坐标系和样品坐标系的变换