【摘要】 今天我们从CO在Au(111)面上的吸附来说明吸附位点的选择和吸附结构的相关优化

首先我们构建出Au(111)面的结构模型，如下图：

 

 

对于Au这种面心立方金属的(111)表面，一般认为存在4种吸附位点：

 

[1] Top位，就是Au(111)表面原子的上方

[2] Bridge位，两个Top原子的中间，可以理解为在两个Au原子间搭了一座桥。

[3] hollow位，即在三个原子的中心，又可以分为 Fcc位和Hcp位。

 

具体细化一下就是：Fcc（face centered cubic）指的是表面的Hollow位正下方（即第二层）没有原子，而第三层有原子，则这个hollow为Fcc位。

 

 

相反，表面的Hollow位正下方（即第二层）有原子，为Hcp位（hexagonal close-packed）。

 

上述这些吸附位点，在下面这篇文献中做了更加深入和全面的分析，下面的的这张示例图可以作为参考示例，感兴趣的同学可以点击下方详情链接进行查看

 

 

 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003960281630239

复制蓝色字体下载原文

 

相信到这里大家已经对具体的吸附位点划分有了详细的了解，现在给大家讲一下怎么来用VASP进行吸附结构优化，这里我们以CO吸附在Au(111)面的TOP位为例进行计算。

 

接下来可以准备POSCAR，把CO分子吸附在刚才的Au(111)面上，为了减小计算量小编在这里简单地把Au(111)的超胞缩小为2*2*1的了，并且固定了下面两层的Au原子，大家在实际计算中可以根据具体情况操作。

 

 

准备好POSCAR后，咱们再着手准备INCAR，KPOINTS和POTCAR

 

INCAR用到的参数如下：

 

 

KPOINTS如下：

 

 

POTCAR就不给大家展示了，生成POTCAR的方法还有很多，大家可以自行进行操作。

 

现在我们已经准备好所有的输入文件，然后选择提交任务就可以进行计算。

 

小编这里只是以TOP位点作为例子梳理了大概的计算流程，如果有感兴趣的小伙伴可以尝试计算一下CO在其他位点上的吸附结构。

 

本文所有内容文字、图片和音视频资料，版权均属科学指南针网站所有，任何媒体、网站或个人未经本网协议授权不得以链接、转贴、截图等任何方式转载。